<_jjksb class="ujufpiaj"><_mpfz id="rjebvdyz"><_sak_a id="hqonaknk"><__cmc id="hphdmai"><_pnxde_ class="kryqbqeis"><_rexsotu class="xvjbsdlkz"><_ppat class="bkgsg"><_zwxy class="btdbm"><_wbyd id="vnetwl"><_oxoudl id="swmmpm">
中|EN
永利集团技术支持Technical Support
解决方案
技术专题
下载中心
032018-12
什么是沟槽栅极结构(Trench)IGBT?
到目前为止，所有的IGBT设计都有一个共同点平面栅极结构。这种形状的栅极形成一个前文所述的JFET结构，以及发射极区软弱的电导调制效应。对于平面栅极的IGBT,载流子的浓度从集电极到发射极之间逐步降低。新一代IGBT.. MORE
什么是沟槽栅极结构(Trench)IGBT?
共1页 1条
<_dsjwcnut id="fksnobb"><_oketklfg id="wswiwhzh"><_yltycdfi class="n_nvcyn"><_tgjqhxx class="nvwxhlqa"><_i_nwqstc class="_sgdl"><_jeluqe id="arqsgl"><_jqdokn id="_ufvmtev"><_qtnnk class="hhktvrrj"><_khcwpnwk class="csucujrhj">